SJ 20438-1994 红外探测器用碲锡铅晶片测试方法
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ID： |
515D94BAB0684B51000028C7D2E3DFD1 |
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文件大小(MB)： |
0.7 |
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页数： |
11 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和电子行业军用标准,FL 5971 SJ 20438—94,红外探测器用需. 锡铅晶片测试方法,Methods for measurement of lead tin telluride,slice for use in infrared detector,1994丒09丒30发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,红外探测器用瑞锡铅晶片测试方法⑶,Methods for measuremeitk of lead tin telluride,slice for use in infrared detector,范给,1.1 主题内容,本标准规定了红外探测器用硫锡铅(PbmSnle)单晶片的电学参数、结构参数和组分的测,试方法,1.2 适用范围,本标准适用于红外探测器用硫锡铅外延衬底用单晶片的性能检测和评定,也适用于硫化,铅和硫锡铅外延膜位错腐蚀坑的检测〇,2引用文件,GB 8760— 神化钱单晶位错密度的测量方法,GB 11297. 7—89 镣化锢单晶电阻率及霍尔系数的测试方法,GJB 1785—93 红外探测器用硫镉汞晶片测试方法,生,3定义,本章无条文,4 一般要求,4.1 测量的环境条件,温度:15.35C；,相对湿度:45%.75%；,气压:86 .106KPa,5详细要求,本标准采用独立编号方法,将四种测试方法列为:,方法101,方法201,方法301,方法401,蹄锡铅单晶片定向,组分X值的测定,位错腐蚀坑密度测量,电学参数的测量,中华人民共和E3 セ子工业部1994一〇% 30发布1994-12-01 实施,1,Sj 20438—94,方法101,瑞锡铅单晶片定向,1方法提要,晶片对X——射线的衍射符合布喇格方程I,n\ = 2asin 6,式中"一X射线波长;,d一面网间隔;,0ー衍射角;,般ー衍射级数,当选定硫锡铅单晶片的晶面为（100）时,可以按卡片查岀该晶面的衍射角凡把X?射线衍,射定向仪的探测器放置于部位置上,微调晶片表面的角度,获取最大衍射定强度所对应的角,度九一般说来,所测表面与晶面（hkl）总有一个偏角,其入射线与晶向（hkl）的夹角就是タ士シ,把晶片旋转ー个山角就能满足布喇格方程。根据定向偏角ル的切割修正,就能得到ー个エ艺允,许的定向精度,2试验仪器及其要求,2.1 试验仪器,X——射线定向仪,2.2 要求,a. （100）单晶片晶向的26=27. 42°,b. 工作电流2.0mA；,c. 灵敏度不低于30”,3程序,3.1 受试单晶片的准备与处理,締锡铅单晶体沿（100）晶面切割后的晶片尺寸应为10mmX 15mmXL 5mm,晶片的表面,色泽应均匀,无低角晶界和肉眼可见的裂纹。从晶体中切下的晶片,需经无水乙醇浸泡4h,去,除虫胶（或其他粘接剂）,并清洗干净,3-2试验条件,a.电源功率ユ0.5kW；,b,地面平坦,无振动;,用标准石英片（ion）面调整零位,3.3试验步骤,a.根据碗锡铅单晶片晶向（100）的衍射角2夕=27. 42,定好计数器的角度;,b, 开机,调整工作电流2mA；,c.预热lOmin后,开高压,将单晶片放在样品架上调整晶片,使其被测部位对准X光,开启吸气闸;,り,SJ 20438—94,d.打开光闸,摇动手轮,微安表调至最大值,读岀轮度值,再旋转i80。,重复b,c,d步骤,得出X方向的衍射,.将晶片旋转90。,再重复上述步骤,得出Y方向的衍射角,3-4试验结果的数据处理与评定,按3. 3条测出的X方向的两个衍射角之差的一半即为单晶片X方向的定向精度,而Y方,向的两个衍射角之差的一半即为单晶片Y方向的定向精度,方法201,组分X值的测定,1方法提要,嵇锡铅单晶片是ー种合金固溶体,它由硫化铅和硫化锡以一定组分比组成Pb^SnxTe的,立方岩盐结构,随着硫化锡含量的不同,其点阵常数也各异,测量硫化铅晶体和Pb^SnxTe晶,体的点阵常数，就可以计算出PbVxSnxTe的组分X值,其计算公式如下:,X '-= q~y（^pbTc-^pb-xSnxTc ）,式中:apm-——碘化铅材料的点阵常数;,apb-ETc——组分为X值时的Pb^SnxTe点阵常数,单晶片的点阵常数测量采用X.射线衍射仪加旋转附件的Bond测量方法,通过测量晶片,在不同衍射位置时的角度差,可以有效地消除衍射角0的零位不准及偏心产生的误差.,2晶片的制备与要求,丒 硫化铅经过单晶片定向的（100）晶面,偏差《1。;,b. PbmSnxTe经过单晶片定向的（100）晶面,偏差&1彳,c.受试样品的尺寸为lOmmXl5mmXL 5mm,经研磨抛光,3试验设备、仪器及要求,a. Xー射线衍射仪加转晶附件;, 晶片的高角度衍射角选取26=146丒65°的多级衍射面,4程序,4.1 受试单晶片的准备与处理,按方法!0!定向切割后,经定向测定的合格样品其（100）晶面的定向精度&ピ;并同样准,备稀化铅单晶片,（100）晶面的定向精度&ピ,然后经研磨抛光处理,去除切割与研磨过程产生,的晶格损伤,在试验前需用无水乙醇清洗干净Q,4.2 试验条件,a.铜靶 CuKa；,b. X-射线管电压40kV；,3,SJ 20438—94,电流20mA；,计数管电压50V,イ试验规则与程序,将单晶片装入转晶样品架上,按高角度衍射角选取28=146丒65。的多级衍射面;,b. 将衍射仪按试验条件加电负荷,将晶片按高指数面调整方位,使衍射强度达到最大,值;,c.采用慢扫描(1/4)。.(1/8)。由尸来回扫描三次;,d.按……
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